半導體過壓保護器是根據(jù)可控矽原理采用離子注入技術(shù)生產(chǎn)的一種新型保護器件，具有精確導通、快速響應(yīng)（響應(yīng)時間ns級）、浪涌吸收能力較強、雙向?qū)ΨQ、可靠性高等特點。由于其浪涌通流能力較同尺寸的TVS管強，可在無源電路中代替TVS管使用。但它的導通特性接近于短路，不能直接用于有源電路中，在這樣的電路中使用時必須加限流元件，使其續(xù)流小于最小維持電流。半導體過壓保護器有貼裝式、直插式和軸向引線式三種封裝形式。

半導體放電管優(yōu)點：

1、擊穿前相當于開路，絕緣電阻很大，漏電流很??；2、具有雙向?qū)ΨQ特性；

3、回應(yīng)速度很ns 級；

4、擊穿電壓一致性好。

半導體放電管缺點：

1、相對于陶瓷放電管通流量較小，只有幾百A；2、擊穿電壓只有若干特定值；

3、電容較大，有幾十至幾百pF。

半導體放電管的選型：

在選用TSS 時，一般應(yīng)遵循以下原則：

1、截止電壓VDRM的選?。航刂闺妷罕仨毚笥诒槐Ｗo的電路的最大工作電壓；2、轉(zhuǎn)折電壓VBO的選?。恨D(zhuǎn)折電壓必須小于設(shè)備能承受的最大瞬態(tài)峰值電壓；3、維持電流IH的選?。壕S持電流必須大于設(shè)備的工作電流和短路電流；4、寄生電容C 的選取：生電容根據(jù)電路所允許的插入損耗或信號傳輸?shù)念l率選擇；5、浪涌通流的選取：浪涌電流的選擇根據(jù)電路或浪涌測試標準要求進行不同等級的選擇；

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